弊社で過去に行った、回路調査のデータベースよりＩＣメーカー（ＩＣ名称）の実績を一覧でご紹介しております。MICROCHIP の回路マッチング調査の実績を追加致しました。

実績一覧は、こちら

弊社で過去に行った、回路調査のデータベースよりＩＣメーカー（ＩＣ名称）の実績を一覧でご紹介しております。FUJITSU,RENESAS,TEXAS INSTRUMENTS の回路マッチング調査の実績を追加致しました。

実績一覧は、こちら

SIIのEEPROMの新たなラインナップとしてEEPROM新製品を追加しました。
高信頼性・超小型・高性能・高品質を実現した、豊富な製品ラインナップを取り揃えております。

弊社で過去に行った、回路調査のデータベースよりＩＣメーカー（ＩＣ名称）の実績を一覧でご紹介しております。今回新たに、MICROCHIPを追加しました。RENESAS,SII,TEXAS INSTRUMENTS,TOSHIBA の回路マッチング調査の実績を追加致しました。

実績一覧は、こちら

サマリウム・コバルト磁石（SmCo磁石）で３つのメリットをSIIが提案します。
メリット１：耐熱性に優れる
メリット２：磁気特性のバラツキが小さい
メリット３：小さいものが得意

詳しくは　こちら　をご覧下さい。

このたび「液晶デバイス」の中文Webサイトをリニューアルしました。今回のリニューアルでは更にシンプルでわかりやすいサイトを目指しました。今後ともよろしくお願いいたします。詳細は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。
Low-CLテクノロジは線形代数幾何学として論ずる新発振論です。『数』をテーマにあらゆる定理を展開しています。低CLを構成する２つの有理数3.7と4.4は、最初の素数２の平方根との間に密接な関係式で繋がっています。
詳しくは、こちら
低CL(Low-CL)テクノロジのご紹介は、こちら

「SII水晶振動子」のサイトをリニューアルオープンいたしました。
SIIの水晶発振子の特長はLow-CLです。 マイコンの低消費電力化に最適です。 ルネサス エレクトロニクスとの低消費電力化の事例をご覧ください。よろしくお願いいたします。
Low-Power　マイコン へ

このたび「液晶デバイス」のWebサイトをリニューアルしました。今回のリニューアルでは更にシンプルでわかりやすいサイトを目指しました。今後ともよろしくお願いいたします。
詳細は、こちら

弊社で過去に行った、回路調査のデータベースよりＩＣメーカー（ＩＣ名称）の実績を一覧でご紹介しております。今回新たに、PANASONIC様,RENESAS様,RICOH様の回路マッチング調査の実績を追加致しました。

実績一覧は、こちら

この度、視差バリア方式裸眼3D向けバリア液晶がラインナップに加わりました。どうぞご検討下さい。
詳細は、こちら

弊社で過去に行った、回路調査のデータベースよりＩＣメーカー（ＩＣ名称）の実績を一覧でご紹介しております。今回新たに、PANASONIC様,RENESAS様,RICOH様,TOSHIBA様の回路マッチング調査の実績を追加致しました。
実績一覧は、こちら

このたび、ＴＦＴ液晶標準品ラインアップに2.0”、7.0"の新製品が加わりました。どうぞご利用ください。
詳細は、こちら

このたび、新製品 MS414GEをご紹介するページを新たに開設致しました。
MS414GEは、放電容量を大幅に向上し、直径4.8mm高さ1.4mmと小形でありながら、世界トップクラスの高容量2.0mAhを実現したコイン形リチウム二次電池です。
こちらからどうぞ。

この度パッシブVA(Vertical alignment)LCDおよび異型ガラスが
ラインナップに加わりました。どうぞご検討下さい。
詳細は、こちら

このたびTFTスタンダードモジュールのカタログをアップデートしました。
スタンダードモジュールスペック一覧に加え、技術紹介やカスタム対応の情報も掲載しております。どうぞご覧下さい。

こちら

このたび、ＴＦＴ液晶標準品ラインアップに2.4”、4.3"の新製品が加わりました。どうぞご利用ください。

詳細は、こちら

このたび、チップ形電気二重層キャパシタをご紹介するページを新たに開設致しました。
こちらからどうぞ。

この度、「マイクロエナジー事業部情報」WEBサイトに中国語（簡体中文）のページを開設致しました。
中文サイトへは、こちらからどうぞ。

このたびモノクロSTNに
”1チップ,3.8インチ,QVGA（320ｘ240dots）”が加わりました。
どうぞご検討下さい。

こちらからどうぞ

この度、「マイクロ電池」WEBサイトに中国語（簡体中文）のページを新たに開設しました。
マイクロ電池紹介ページでは、環境に配慮した無水銀酸化銀電池、チップ形電気二重層キャパシタ、コイン形リチウム二次電池、コイン形キャパシタを詳しくご紹介致しております。
中文サイトへはこちらからどうぞ。

SIIのEEPROMの新たなラインナップとしてEEPROM新製品を追加しました。
高信頼性・超小型・高性能・高品質を実現した、豊富な製品ラインナップを取り揃えております。

このたび、視差バリア方式裸眼3Dの技術紹介ページをオープンしました。
SIIでは視差バリア方式の裸眼３D液晶を開発・販売しています。バリア液晶及びTFT液晶モジュールを自社生産しており、お客様の様々なアプリケーションに合わせてカスタム生産が可能です。

こちらからご覧ください。

和文、英文

このたび、ＴＦＴ液晶標準品ラインアップに3.0”、3.5”、4.3"の新製品が加わりました。どうぞご利用ください。

詳細は、こちら

このたび、ＴＦＴ液晶標準品ラインアップに3.2”の新製品が加わりました。
どうぞご利用ください。

詳細は、こちら

このたび、ＴＦＴ液晶標準品ラインアップに2.4”、7.0”の新製品が加わりました。どうぞご利用ください。

詳細は、こちら

このたびSIIはTFTスタンダードモジュールの最新カタログを作成しました。
スタンダードモジュールスペック一覧に加え、技術紹介やカスタム対応の情報も掲載しております。どうぞご覧下さい。
こちら

このたび、SIIの高機能金属製品SPRONをご紹介するページを新たに開設しました。高機能金属製品SPRONは、高弾性、高強度、高耐食性、高耐熱性などの特徴を活かし、小型精密バネ、メタルダイヤフラム、 医療用材料などエレクトロニクスから医療分野まで、幅広い範囲でご愛用を頂いております。新設のページではSPRONの歴史から特長、各特性データ、応用アプリケーション例まで詳しくご紹介致します。こちらからご覧ください。

和文、　英文

このたび、SIIの希土類磁石DIANETをご紹介するページを新たに開設しました。SIIの希土類磁石は、高性能、高精度、高品質の 希土類コバルト磁石です。 原料から仕上げまでの一貫製造を行い、回転機器、音響機器、通信機器など、幅広い先端分野に数多く利用 されております。新設のページでは希土類磁石DIANETの製造工程、他社比較から応用アプリケーション例まで詳しくご紹介致します。
こちらからご覧ください。

和文、　英文、　

このたび、 SIIがご提案する液晶ディスプレイのセレクトガイドをご用意しました。
2種類の製品ラインナップ一覧表から、気になる製品の詳細情報をワンクリックで入手いただけるセレクトガイドです。

セレクトガイドはこちら　「画面サイズ×画素数」　 「画面サイズ×色数」

このたび、ＴＦＴ液晶製品の、2.4インチから3.5インチサイズのラインアップを更に充実致しましたので、どうぞご利用ください。

ラインナップは、こちらからどうぞ

この度、お客様によりご活用いただけるよう　CMSSサイトをリニューアル致しました
・CMSSとは：
　SIIがご提供させていただくサービスを
　ご案内しています　　こちら
・CMSS-B:調査実績検索
　最新の回路調査データベースより回路定数（Cd,Cg,Rd)
　一覧をご紹介しすぐにご利用いただけます　　こちら
・CMSS-C:回路マッチングサービス
　音叉型振動子（32KHｚの水晶振動子）をご検討中で
　お悩みのお客様に新たにQ＆Aを掲載、
　また、お問合せをお受け致します　　こちら

このたび、SII製TFTモジュール技術の特長をご紹介するページを新たに開設しました。
SIIはTFT液晶製品の開発から製造・販売までを手がけております。当社独自のものやパートナー会社との協力によるSII製TFTモジュール技術の特長をご紹介します。
こちらからご覧ください。
和文、　英文、　中文

SIIのEEPROMの新たなラインナップとして汎用・高信頼性の「EEPROM新製品」、および「EEPROM製品のTMSOPパッケージ」を追加しました。
高信頼性・超小型・高性能・高品質を実現した、豊富な製品ラインナップを取り揃えております。

2010年3月、第15回 International IC-CHINA 展示会が深センで開催され Seiko Instruments (H.K.) Ltd. が出展いたします。
会期・場所は下記の通りとなります。
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■深セン（Shenzhen）
Date : Mar 4 - 5, 2010
Venue : Shenzhen Convention & Exhibition Center
Address : Hall 2
Fuhua 3rd Road, Futian Central District, Shenzhen
Booth No. : 2B11

Registration for free entry : http://www.english.iic-china.com/REGISTRN/INDEX.HTM?ord=26525824

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。その一環として、半導体メーカー様とのコラボレーション強化によるスタンバイ動作における待機電力の大幅な削減に寄与すべく、32kHz水晶発振回路の自己消費電流低減のためのソリューションを展開して参りました。　 特に電池で駆動するさまざまな電子機器市場をターゲットに、今後益々重要な課題となってくる電池の長寿命・長時間化に関する弊社の技術的な取り組み（低CL発振子・ソリューション）をご紹介させて頂きます。
詳しくは、こちら

この度、低CL発振子コラムページにて一部リンク切れが発生しておりました。
誠に申し訳ございません。今後ともよろしくお願いいたします

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　負荷容量が小さくなると、水晶振動子の周波数感度は高くなり、製品基板上での周波数マッチング調整に、より高度なテクニックが要求されます。しかし、チューニングする際の行為は、外部容量Cextを用いてゲート容量Cg(pF)、ドレイン容量Cd(pF）にて調整することに変わりはありません。もし、製品基板上の回路に浮遊容量がなければ、話は非常に簡単で、回路の負荷容量CLは外部容量Cext＝Cg×Cd／（Cg+Cd)に等しく、机上のシミュレーションで事足りる。当然のことながら相互コンダクタンスgmが分かれば発振性能も一瞬にして完結し、何の苦労もなくなります。だが、現実はそんなに甘くはありません。見えざる浮遊容量の総和Csは発振性能に影響を与える存在だからです。残念ながらCsを事前に予測し見積るなど容易なことではございません。

詳しくは、こちら

低CL発振子の周波数感度の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　発振余裕度（発振利得）は、発振性能を左右する極めて重要なファクタであり、相互コンダクタンスは増幅素子の電流制御能力を示す値です。そして、発振余裕度Mと相互コンダクタンスｇ_mには、次式の関係が成立ちます。着目すべきは、ｇ_mの値が例え小さくとも、小さな負荷容量C_Lで発振する『低CL発振子』を使えば、Mは容易に改善できるということです。例えMがR_1maxの1.1倍であったとしても、C_Lを1/4にすれば約８倍の効果を齎す。

詳しくは、こちら
発振余裕度と発振起動時間の強い相関性の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。
　お客様のご期待に応えるべく、当初の目標値である待機電流 ０.７μA以下の早期実現を目指しています。負荷容量 ３.７pFを用いて、低CL発振器の消費電流低減効果を確認する実証実験を行っています。 消費電流は予想通り ０.１μA以下は十分可能であることが実証され、良好な特性結果が得られましたのでご紹介致します。２０１０年度の待機電流低減 ０.７μA以下に向けて、マイコンメーカー様と共に今後も取り組んで参ります。

詳しくは、こちら
低CL水晶発振器の省電力実証実験【特集】の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　電界効果トランジスタを用いた増幅回路では、電圧増幅率は負荷抵抗の値に比例する性質があります。このときの比例定数を相互コンダクタンスといい、g_mの記号で表します。相互コンダクタンスが大きい増幅素子ほど高い増幅率が得やすくなり、相互コンダクタンスｇ_mは増幅素子の電流制御能力を示す値とも云えます。
　弊社が取り組むテーマは、如何にして『発振性能の確保と相互コンダクタンスの極小な増幅素子の両立』を図るかと言い換える事もできます。

詳しくは、こちら

相互コンダクタンスと負荷容量の適正化の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　発振器の原理についてもう少し詳しく紹介します。帰還回路（移相器）を有する反転増幅器で構成された帰還増幅器は図１に示すとおりです。帰還増幅器が安定に発振持続するには、帰還回路の損失分を何らかの方法で補わなければ入力信号は減衰してしまいます。その為に増幅率Aと帰還率（減衰率）βの積、すなわち発振利得が１以上必要とし、発振性能を左右する極めて重要なファクタとなる。＜ ループゲインG=A×β>１ ＞

詳しくは、こちら

発振利得（ループゲイン）と発振余裕度の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　前回の低消費電力技術の紹介に引き続き、負帰還抵抗Rfで構成されるCMOS増幅回路の消費電力P_ACについて紹介いたします。CMOSに於ける動作時に消費される電力には、負荷容量の充放電の際に消費される電力P_cdがあります。それとは別に入力電圧の変化により、CMOSインバータを構成するPMOSとNMOS両方が半導通状態となり電源V_ddからGNDへ過渡的に貫通電流が流れて消費される電力P_dpがある。＜P_AC＝P_cd＋P_dp(μW)＞

詳しくは、こちら

増幅回路の消費電力の紹介は、こちら

このたび「液晶デバイス」Webサイトに、中国語（簡体中文）のページを新たにオープンしました。

今後ともよろしくお願い致します。

中文サイトへは、こちらからどうぞ

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。

　32.768kHzの音叉振動子を使った一般的な低速標準回路（負荷容量が12.5pFの発振器)を例に、低消費電力化が如何にして実現できるかを簡単な発振回路を使ってわかり易くご紹介します。CMOSインバータを使った発振回路に電流計（デジタルマルチメータTR６８４８）を接続して、実際に発振器の消費電流（平均値）を測ってみます。

詳しくは、こちら

32kHz水晶発振器の低消費電力技術の紹介は、こちら

セイコーインスツルは、新しい市場創出に向けた取り組みを行っております。その一環として、半導体メーカー様とのコラボレーション強化によるスタンバイ動作における待機電力の大幅な削減に寄与すべく、32kHz水晶発振回路の自己消費電流低減のためのソリューションを展開して参りました。　 特に電池で駆動するさまざまな電子機器市場をターゲットに、今後益々重要な課題となってくる電池の長寿命・長時間化に関する弊社の技術的な取り組み（低CL発振子・ソリューション）をご紹介させて頂きます。
詳しくは、こちら

長年時計で培ってきた超精密小型パーツ製造の技術を活用し、
高品質な無水銀酸化銀電池の開発に成功致しました。

詳しくはこちらをご覧下さい。
互換表はこちらをご覧下さい。

従来の3.5"QVGA/4.3"WQVGA/4.3"WVGAにそれぞれ抵抗薄膜式タッチパネルを搭載したラインナップを追加しました。
詳しくは、こちらから。
3.5"QVGA(320RGBx240)+TP
4.3"WQVGA(480RGBx272)+TP
4.3"WVGA(800RGBx480)+TP

このたび、ポータブルDVDやフォトフレームに使用できる、7.0"サイズのWVGA TFTを新規リリースしました。
薄型、軽量で、もちろんRoHS対応製品です。
詳しくは、こちらから。

この度、「マイクロエナジー事業部(マイクロ電池・精密材料)」のホームページをリニューアルオープンしました。
今回のリニューアルでは、全体のデザインを一新し、シンプルでわかりやすいサイトを目指しました。
また、製品写真、図面等を掲載し、さらに充実したコンテンツにしました。
今後ともよろしくお願いいたします。

「マイクロエナジー事業部」サイトトップへ

世界標準タイプとなる、「128x64白黒」のＳＴＮ液晶製品をホームページにご紹介しました。
詳しくは、こちらからどうぞ。

このたび「液晶デバイス」のWebサイトをリニューアルオープンしました。

今回のリニューアルではシンプルでわかりやすいサイトを目指しました。
また製品群を一新し、更に充実したコンテンツにしました。
製品写真、図面等を掲載し、仕様もより詳しく説明しました。

今後ともよろしくお願いいたします。